IGBT故障模式分析：
1)IGBT的掣住效应掣住效应也可以称晶闸管效应，是指IGBT工作电流增大到一定值时，当撤去栅压时，器件依然导通，也即器件导通后，其栅极不再具有控制能力，这是晶闸管的一种正常功能，但对于IGBT而言却是一种故障现象，使得逆变桥直通，进一步使熔丝烧坏。常见的IGBT模块驱动电路及其外形。
2)过电压击穿IGBT因为IGBT的交换速度很快，IGBT关断时，或与之并联的二极管反向恢复时，产生很高的di/dt(关断时集电极上产生电流变化率的最多直)，由模块周边的配线电感引发的关断浪涌电压很高。IGBT关断时，其相应桥臂上的电流急剧变化、而其臂上的寄生电感引发高电压，当开通浪涌电压超过IGBT集电极与发射极之间能够承受的最大电压值时，即能破坏IGBT.出现开通浪涌电压超过集电极与发射极之间能够承受的最大电压值的可能原因:
***的缓冲电路中的电容长期处于高温状态，性能下降，不能吸收高频浪涌电压而导致1GBT破坏。
2.门极电阻参数值变小，使得IGBT交换时间变小，则浪涌电压变大。
3.驱动电路和的电源受外界的于扰、门极驱动电压有瞬间的尖峰、使其电压过高，浪涌电压就越高。
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