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英飞凌IGBT高频变频IGBT FF100R12KS4

发布于 2020年12月16日

[摘要]英飞凌IGBT高频变频IGBT FF100R12KS4 产品资料及价格:*** *** ***翁小姐

高频变频IGBT  FF100R12KS4 

 产品资料及价格:*** ***  ***翁小姐 

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 3.2 V
在25 C的连续集电极电流: 275 A
栅极—射极漏泄电流:                400 nA
Pd-功率耗散: 1.4 kW
封装 / 箱体: 62 mm
工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 30.5 mm
长度: 106.4 mm
技术: Si
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules  

英飞凌FF100R12KS4是针对中高频率应用市场开发的,在中的应用实现了系统的高效率和小型化,其开关频率在20~50kHz的应用场合能发挥最大优良特性 。而在典型情况下,FF100R12KS4 IGBT模块的优化,所针对的载波频率却是10kHz或更低。通常,在IGBT/FWD芯片的通态压降和开关损耗之间有一个折衷关系。高速模块在进行性能折衷时,是让通态电压偏大,以换取偏低的开关功耗,从而能在高频应用中实现低的总功耗。 FF100R12KS4主要应用领域:医疗应用 、 电机传动 、谐振逆变器应用 .