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陈星弼院士去世,大屏幕液晶拼接屏厂家愿他一路走好!

发布于 2019年12月05日

[摘要]陈星弼院士去世,大屏幕液晶拼接屏厂家愿他一路走好!国际著名半导体器件物理学家、微电子学家,中国科学院院士,IEEE Life Fellow,九三学社社员,电子科技大学教授陈星弼先生。
陈星弼院士去世,愿他一路走好!国际著名半导体器件物理学家、微电子学家,中国科学院院士,IEEE Life Fellow,九三学社社员,电子科技大学教授陈星弼先生。
12月5日讯国际著名半导体器件物理学家、微电子学家,中国科学院院士,IEEE Life Fellow,九三学社社员,电子科技大学教授陈星弼先生,因病医治无效,于2019年12月4日17时10分在成都逝世,享年89岁。
陈星弼先生1931年1月28日出生于上海,祖籍浙江省金华市浦江县。1952年毕业于同济大学电机系。毕业后在厦门大学电机系、南京工学院(现东南大学)无线电系担任助教。1956年到成都电讯工程学院(现电子科技大学)任教。1983年任成都电讯工程学院微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。曾先后在美国俄亥俄大学、加州大学伯克利分校、加拿大多伦多大学作访问学者
陈星弼先生是我国第一批学习及从事半导体科技的人员之一,是电子工业部“半导体器件与微电子学”专业第一个博士生导师。他是国际著名的半导体器件物理学家、微电子学家,是国际半导体界著名的超结结构(Super Junction)的发明人,也是国际上功率器件的结终端理论的集大成者。
报道,陈星弼先生于上世纪五十年代末,在国际上最早对漂移晶体管的存贮时间问题作了系统的理论分析。七十年代,他在我国率先制造硅靶摄像管。八十年代以来,从事功率半导体器件的理论与结构创新方面的研究。在中国首次研制了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件,并第一个提出了各种终端技术的物理解释及解析理论。上世纪八十年代末他提出了两种新的耐压层结构,并作了唯一的三维电场分析。其中超结结构打破了传统功率器件的硅极限,被国际学术界称为“功率器件的新里程碑”。